| Разработчики: | Массачусетский технологический институт (MIT) |
| Дата премьеры системы: | ноябрь 2024 г |
| Отрасли: | Электротехника и микроэлектроника |
Содержание |
История
2024: Разработка технологии
В начале ноября 2024 года американские исследователи из Массачусетского технологического института (MIT) сообщили о разработке высокоэффективных 3D-транзисторов на основе сверхтонких полупроводниковых материалов. Изделия нового типа по характеристикам превосходят кремниевые элементы.
Традиционные кремниевые транзисторы функционируют как электронные переключатели. Под действием напряжения электроны проходят через энергетический барьер, вызывая изменение состояния элемента с выключенного на включенное. Это позволяет выполнять бинарные вычисления. Эффективность транзистора связана с его крутизной переключения: чем круче кривая переключения, тем меньше напряжения нужно для включения. Это означает, что транзистор может включаться и выключаться быстрее, требуя меньше времени и меньше энергии. Однако фундаментальное ограничение, известное как тирания Больцмана, накладывает минимальные требования к напряжению для работы транзистора при комнатной температуре. Американские ученые предложили способ решения проблемы.
Новые транзисторы используют сверхтонкие полупроводниковые материалы и квантовую механику для достижения высокой производительности при низком напряжении. Использованы компоненты на основе антимонида галлия и арсенида индия. Кроме того, задействованы принципы квантового туннелирования, благодаря чему электроны могут проникать сквозь потенциальные барьеры. Трехмерная конструкция изделий включает гетероструктуры из нанопроволок диаметром всего 6 нм.ИТ-директор «Роснефти» Дмитрий Ломилин выступит на TAdviser SummIT 28 ноября 
В итоге, как утверждается, были созданы самые маленькие 3D-транзисторы (на начало ноября 2024 года). По заявлениям разработчиков, такие элементы обеспечивают 20-кратное улучшение производительности по сравнению с аналогичными туннельными транзисторами.[1]
Примечания
